생활경제
삼성전자, 세계최초 '3세대 10나노급(1z) 8기가비트(Gb) DDR4 D램'개발 '성공'...기술 한계 초월 `초격차` 강화
서승만 기자 smseo67@naver.com
기사입력 : 2019-03-21 18:47:24
'가지 않은 길' 걸어가는 삼성,삼성전자가 새로운 반도체 제품을 개발하면 바로 역사가 되고 기록이 된다.

[타임뉴스=서승만 기자] 이재용 삼성전자 부회장은 지난 1월 청와대에서 열린 '2019 기업인과의 대화'에서 문재인 대통령의 반도체 경기에 대한 질문에 "좋지는 않습니다만, 이제 진짜 실력이 나오는 것"이라고 자신감을 내비친 바 있다. 그의 짧은 대답에 함께 산책하던 최태원 SK 회장은 "삼성이 이런 소리하는 게 제일 무섭다"고 말한바 있었다.

이재용 삼성전자 부회장

3세대 10나노 D램 개발

웨이퍼당 칩생산 20%↑

속도·전력효율도 개선

올 하반기 양산 돌입

'가지 않은 길' 걸어가는 삼성 = 삼성전자가 새로운 반도체 제품을 개발하면 바로 역사가 되고 기록이 된다. 삼성전자는 1984년 '무모하다'는 비판을 감수하고 반도체 시장에 뛰어든 이후 20년 이상 메모리 반도체 시장에서 압도적 1위를 기록하고 있다. 

반도체 공정이 40, 30, 20나노에 이어 10나노까지 들어서기까지 삼성전자는 세계 최초 기록을 연이어 경신해왔다. 기술 초격차를 통해 2017년 2분기에는 반도체 황제로 불리는 인텔을 밀어내면서 반도체 1위 자리에 오르기까지 했다. 

삼성전자는 미세 공정의 한계를 또 다시 극복한 1x나노 제품을 개발하는데 성공하면서 시장 수요를 견인한다는 계획이다. 이번에 개발한 3세대 10나노급(1z) D램은 동일한 용량의 같은 재료로 20% 더 생산할 수 있어 원가 경쟁력이 올라가게 된다.

이와 함께 삼성전자는 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급하는 등 최첨단 공정 기반 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획이다. 

2017년 11월 2세대 10나노급(1y) D램 양산에 돌입한 지 16개월 만이다. 그만큼 기술 개발에서 선도적 지위를 공고히 하면서 후발 주자들과 '초격차'를 더욱 벌린 셈이다. 

21일 삼성전자는 "3세대 10나노급 8Gb DDR4 D램을 개발했다"면서 "올해 하반기에 제품 양산에 돌입하겠다"고 밝혔다. D램은 회로의 선폭이 가늘수록 더 작으면서도 집적도가 높아진다. 

10나노는 10억분의 1m를 뜻하며, 반도체 업계에서는 반도체 집적도가 10나노대에 진입하면서 기술 개발 한계에 부딪혔다는 평가가 나온 바 있다. 하지만 이번 제품은 10나노대 중반급인 것으로 알려졌다. 

종전 10나노급 엑스(x)·와이(y) 제품이 후반대였다면, 이번 제품은 10나노급 중반인 제트(z)까지 낮춰 집적도를 업계 최대 수준으로 끌어올린 셈이다.

특히 이번 D램은 초고가인 극자외선(EUV) 노광 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급 D램보다 웨이퍼당 칩 생산성을 20% 높였다. 

또 처리 속도를 높여 전력 효율도 개선됐다는 것이 삼성전자 측 설명이다.

이와 동시에 삼성전자는 3세대 10나노급 D램 기반의 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료했다. 

본격적으로 글로벌 정보기술(IT) 고객의 수요를 확대해 나갈 수 있는 발판을 함께 마련한 것이다.

삼성전자는 올 하반기에 이 제품을 양산하고, 내년에는 성능과 용량을 동시에 높인 DDR5, LPDDR5 등 차세대 D램을 본격 공급한다는 계획이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속·초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다"면서 "앞으로 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 프리미엄 메모리 시장을 성장시키는 데도 기여해 나가겠다"고 설명했다.

삼성전자는 고객사들의 요구를 반영해 경기도 평택에 있는 최신 D램 생산라인에서 주력 제품의 생산 비중을 확대하고 있다고 설명했다. 

특히 내년에는 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영해 평택 생산라인에 안정적인 양산 체제를 구축하기로 했다. 

삼성전자는 반도체 경기 둔화 속에서도 끊임없는 혁신적 기술 개발로 후발 주자들과 '초격차'를 벌린다는 방침이다. 이와 관련해 김기남 삼성전자 DS부문 부회장은 지난 20일 주주총회에서 "올해는 경영 환경 불확실성 증대, 스마트폰 시장 성장 둔화, 데이터센터 업체 투자 축소 등으로 어려운 한 해가 될 것으로 전망된다"면서도 "하지만 5G·인공지능(AI)·데이터센터·차량용 반도체 등 4대 신성장 분야의 수요는 지속적으로 증가하고 있어 위기 속에서 기회는 존재할 것으로 예상한다"고 강조했다. 

이어 김 부회장은 "선단공정 기반의 차별화된 제품과 품질 우위를 유지해 시장 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획"이라며 "시황 변화에도 흔들리지 않는 근원적인 경쟁력을 강화하고 견실 경영을 통해 초일류 사업 체계를 구축할 계획"이라고 강조한 바 있다. 삼성전자는 이를 위해 메모리 공정에서는 3세대 10나노급 D램과 함께 혁신적 V낸드 개발로 격차를 확대하는 한편, 높은 데이터 속도를 보여주는 고대역폭메모리(HBM) 등으로 차별화된 제품을 개발한다는 방침이다.

또 삼성전자는 파운드리(위탁생산)의 경우 7나노 EUV 적용 제품 양산 등을 통해 고객을 다변화할 예정이다. 시스템LSI는 5G 모뎀 상용화에 맞춰 시스템온칩(SoC) 경쟁력을 높일 계획이다. 

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